::: سـخـن روز : شجاعت یعنی : بترس ، بلرز ، ولی یک قدم بردار . .

موضوعات

تبلیغات

دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

زبان : پارسی
تعداد صفحه : 101
قالب : doc
حجم : 1967 KB
دانلود پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET
:::: توضیحات :
1 Star2 Stars3 Stars4 Stars5 Stars 17 امتیاز
Loading...

پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

 

المانی سه ترمینالی که ترانزیستور نامیده میشود .
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor  (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر میدان نخستین بار در سال ۱۹۲۵ میلادی معرفی شد. در آن هنگام، ساخت و به کارگیری این ترانزیستورها، به سبب نبود علم و ابزار و امکان، با دشواری همراه بود و از همین روی، برای پنج دهه فراموش شدند و از میدانِ پیشرفت‌های الکترونیک بر کنار ماندند. در آغازِ دههٔ ۱۹۷۰م، بارِ دیگر نگاه‌ها به MOSFETها افتاد و برای ساختنِ مدارهای مجتمع به کار گرفته شدند.

 

در ترانزیستور اثرِ میدان ( FET ) چنان که از نام اش پیداست، پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. عمده تفاوت ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم (SiO2) از کانال مجزا شده است. به این دلیل به ماسفتها فِت با گیت مجزا (IGFET ، Insulated Gate FET) نیز گفته میشود.

 

مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثرِ میدانِ MOS را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که (حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس‌های بزرگ ) نیازی به مقاومت، دیود یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند.[۲] همین ویژگی، تولیدِ انبوهِ آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصدِ مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوریِ MOS طراحی و ساخته می‌شوند.

 

ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد، NMOS یا PMOS نامیده می‌شوند. در آغازِ کار، PMOS ترانزیستورِ پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختنِ NMOS آسان‌تر است و مساحتِ کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلافِ ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان، نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل ( الکترون یا حفره) در میانِ پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌قطبی هم می‌نامند.

 

کلمات کلیدی:
ترانزیستور
MOSFET
ترانزیستور MOSFET
ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز
(metal–oxide–semiconductor field-effect transistor ( MOSFET
اثر میدان
مدارهای آنالوگ و دیجیتال
تقویت کننده متداول

 

فهرست:

 

دو نوع ترانزیستور مهم وجود دارد: MOSFET, BJT
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
ترانزیستور NMOS
ترانزیستوری که کانال آن از نوع n باشد، n-channel و یا NMOS خوانده میشود.
اعمال ولتاژی کوچک به درین و سورس
رابطه جریان و ولتاژ
افزایش ولتاژ VDS
اشباع ترانزیستور
جریان در ناحیه تریود
تکنولوژی زیر میکرونی(Sub Micron)
ترانزیستور MOSFET با کانال p (PMOS)
ترانزیستور CMOS
شمای ترانزیستور NMOS
مشخصه iD-VDS
مقاومت کانال
که مستقل از ولتاژ VDS است.
اثر محدود بودن مقاومت خروجی
رابطه جریان خروجی و ولتاژ VDS
مقاومت خروجی
اثر بدنه
اثر حرارت
(Weak avalanche)
مدارات MOSFET در حالت کار بصورتDC
استفاده از MOSFET در مدارات تقویت کننده
تقویت کننده متداول یعنی سورس مشترک (Common Source)   که در آن سورس  زمین شده، بین ورودی و خروجی تقویت کننده مشترک است.
روشهای مختلف بایاس کردن MOSFET
به علت این نقش مقاومت سورس به آن Degeneration Resistance میگویند
بایاس از طریق مقاومت فیدبک
بایاس از طریق یک منبع جریان ثابت
نقطه بایاس DC
شرط قرار گرفتن در ناحیه اشباع
جریان سیگنال در درین
گین ولتاژ
مدار معادل سیگنال کوچک
برای تحلیل مدار برای سیگنال کوچک
گین سیگنال کوچک
مقدار مقاومت ورودی
آنالیز DC
مدل T
تقویت کننده سورس مشترک
مشخصه های تقویت کننده سورس مشترک
تقویت کننده سورس مشترک با مقاومت در سورس
تقویت کننده گیت مشترک
مدل سیگنال کوچک تقویت کننده گیت مشترک
مشخصات تقویت کننده گیت مشترک
مقدار مقاومت خروجی:
مقایسه تقویت کننده گیت مشترک با سورس مشترک
کاربرد تقویت کننده گیت مشترک
تقویت کننده درین مشترک و یاSource Follower
مدل سیگنال کوچک
عملکرد MOSFET بعنوان سوئیچ
بدست آوردن نقطه کار
مشخصه انتقال گیت معکوس کننده CMOS

 

قیمت فایل ۱۷,۵۰۰ تومان

 

خرید آنلاین پاورپوینت و ارائه کامل ترانزیستور MOSFET

 

توجه : تمام مقالات و پایان نامه و پروژه ها به صورت فایل دنلودی می باشند و شما به محض پرداخت آنلاین مبلغ همان لحظه قادر به دریافت فایل خواهید بود. این عملیات کاملاً خودکار بوده و توسط سیستم انجام می پذیرد.

 

جهت پرداخت مبلغ شما به درگاه پرداخت یکی از بانک ها منتقل خواهید شد، برای پرداخت آنلاین از درگاه بانک این بانک ها، حتماً نیاز نیست که شما شماره کارت همان بانک را داشته باشید و بلکه شما میتوانید از طریق همه کارت های عضو شبکه بانکی، مبلغ  را پرداخت نمایید.

(0)(0)

نظرات کاربران (0)

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

Time limit is exhausted. Please reload CAPTCHA.

نظری ارسال نشده است.

خبرنامه وطن پی دی اف

با وارد کردن آدرس ایمیل تان در کادر زیر و تایید آن از طریق ایمیل آخرین کتابها را در ایمیل تان تحویل بگیرید :

تمامی حقوق این سایت متعلق به وطن پی دی اف می باشد.